一、設備用途和功能特點：

    1、該設備是一種多功能磁控濺射鍍膜設備，適用于鍍制各種單層膜、多層膜及攙雜膜系。可鍍金屬、合金、化合物、半導體、陶瓷膜(需配射頻電源)、介質復合膜和其它化學反應膜。

    2、為避免微粒物資落到基片上，采用基片在上、磁控濺射靶在下的結構，即由下向上濺射。3、為滿足鍍制攙雜膜的要求，采用多靶向心濺射的方式。

    4、可以采用單靶獨立、雙靶、三靶任意輪流或組合共濺工作模式，射頻直流兼容。

    5、所有靶面均可以沿軸向位移，與真空室軸夾角70?，**大位移量±50mm，可變角度±15?。所有靶上都帶有電動檔板，以防止靶面在未工作時被污染。這一功能為尋找**佳實驗參數提供了強有力的實驗手段。

    6、為了保證鍍膜的工藝性（預濺射、多層膜、攙雜膜、防止交叉污染和干擾等），每只磁控濺射靶均配備磁力耦合電動擋板（配裝電機），可在操作面板上電動控制靶擋板的開關。

    7、基片加熱器采用高純石墨加熱器，可以避免加熱元件放氣或揮發對基片和真空室的污染，加熱器的可靠性高，壽命長。

    8、由于采用了超高真空密封技術，極限真空度高，可達2×10-5Pa，可保證更高的鍍膜純凈度，提高鍍膜質量。

    恢復工作真空時間短，從大氣到工作真空（7×10-4Pa）時間30～40分鐘（充干燥氮氣）

    運動部件的密封，采用磁力耦合動密封技術。

    真空規用金屬規（不用玻璃規），密封口用刀口金屬密封結構。

    二、性能參數：

    磁控濺射室可鍍**大有效尺寸≦Φ50㎜襯底一片，基片加熱溫度：室溫～1000℃，旋轉速度1～20轉/分。靶軸與真空室軸夾角70?靶面到襯底距離±50mm在線可調，偏擺可調±15°。極限真空：2×10-6Pa、恢復真空7×10-4Pa：30～40分鐘（充干燥氮氣）。

    三、工作條件：

    供電：～380V，冷卻水循環量1m3/H，工作環境溫度10℃～40℃。